ბოლო წლებში, ტექნოლოგიებისა და ეფექტურობის წინსვლის გამო, LED-ების გამოყენება სულ უფრო ფართოვდება;LED აპლიკაციების განახლებით, ბაზრის მოთხოვნა LED-ებზე ასევე განვითარდა უფრო მაღალი სიმძლავრის და უფრო მაღალი სიკაშკაშის მიმართულებით, რაც ასევე ცნობილია როგორც მაღალი სიმძლავრის LED-ები..

　　მაღალი სიმძლავრის LED-ების დიზაინისთვის, მსხვილი მწარმოებლების უმეტესობა ამჟამად იყენებს დიდი ზომის ერთჯერადი დაბალი ძაბვის DC LED-ებს, როგორც ძირითად საყრდენს.არსებობს ორი მიდგომა, ერთი არის ტრადიციული ჰორიზონტალური სტრუქტურა, ხოლო მეორე არის ვერტიკალური გამტარი სტრუქტურა.რაც შეეხება პირველ მიდგომას, წარმოების პროცესი თითქმის იგივეა, რაც ზოგადად მცირე ზომის საყრდენის.სხვა სიტყვებით რომ ვთქვათ, ორივეს განივი სექციური სტრუქტურა იგივეა, მაგრამ განსხვავდება მცირე ზომის კვარცხლბეკებისგან, მაღალი სიმძლავრის LED-ები ხშირად საჭიროებენ მუშაობას დიდ დენებზე.ქვემოთ, ოდნავ გაუწონასწორებელი P და N ელექტროდების დიზაინი გამოიწვევს სერიოზულ დენის შეკრების ეფექტს (Current crowding), რაც არამარტო გახდის LED ჩიპს არ მიაღწევს დიზაინისთვის საჭირო სიკაშკაშეს, არამედ დააზიანებს ჩიპის საიმედოობას.

რა თქმა უნდა, ზემოთ ჩიპების მწარმოებლებისთვის/ჩიპების მწარმოებლებისთვის, ამ მიდგომას აქვს მაღალი პროცესის თავსებადობა (CompaTIbility) და არ არის საჭირო ახალი ან სპეციალური მანქანების შეძენა.მეორეს მხრივ, ქვედა დინების სისტემის შემქმნელებისთვის, პერიფერიული კოლოკაცია, როგორიცაა ელექტრომომარაგების დიზაინი და ა.შ., განსხვავება არ არის დიდი.მაგრამ როგორც ზემოთ აღინიშნა, არ არის ადვილი დენის თანაბრად გავრცელება დიდი ზომის LED-ებზე.რაც უფრო დიდია ზომა, მით უფრო რთულია.ამავდროულად, გეომეტრიული ეფექტების გამო, დიდი ზომის LED-ების სინათლის მოპოვების ეფექტურობა ხშირად უფრო დაბალია, ვიდრე პატარაებზე..მეორე მეთოდი ბევრად უფრო რთულია, ვიდრე პირველი მეთოდი.ვინაიდან ამჟამინდელი კომერციული ცისფერი LED-ები თითქმის ყველა გაიზარდა საფირონის სუბსტრატზე, ვერტიკალურ გამტარ სტრუქტურაზე გადასასვლელად, ის ჯერ უნდა იყოს მიბმული გამტარ სუბსტრატზე, შემდეგ კი არაგამტარი საფირონის სუბსტრატი ამოღებულია, შემდეგ კი შემდგომი პროცესი. დასრულებულია;დენის განაწილების თვალსაზრისით, რადგან ვერტიკალურ სტრუქტურაში ნაკლებია გვერდითი გამტარობის გათვალისწინება, ამიტომ დენის ერთგვაროვნება უკეთესია, ვიდრე ტრადიციული ჰორიზონტალური სტრუქტურა;გარდა ამისა, ძირითადი ფიზიკური პრინციპების თვალსაზრისით, კარგი ელექტროგამტარობის მქონე მასალებს ასევე აქვთ მაღალი თბოგამტარობის მახასიათებლები.სუბსტრატის შეცვლით, ჩვენ ასევე ვაუმჯობესებთ სითბოს გაფრქვევას და ვამცირებთ შეერთების ტემპერატურას, რაც ირიბად აუმჯობესებს მანათობელ ეფექტურობას.თუმცა, ამ მიდგომის ყველაზე დიდი მინუსი არის ის, რომ გაზრდილი პროცესის სირთულის გამო, მოსავლიანობის მაჩვენებელი უფრო დაბალია, ვიდრე ტრადიციული დონის სტრუქტურა, და წარმოების ღირებულება გაცილებით მაღალია.